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HAST试验箱
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WBE-HAST-40 HAST试验箱

产品规格 : 满足69~325L标准容积选型和非标定制
产品介绍:
       威邦HAST试验箱,英文名(HAST Chamber),又称HAST高加速寿命老化箱。是一种通过施加高温、高湿、高气压等极端环境条件,加速评价电子元器件、材料及封装结构可靠性的试验设备。广泛应用于半导体、器件封装、PCB/PCBA、光电、汽车电子及新材料等领域。

产品别名:
       HAST老化试验箱,HAST高压加速老化箱,BHAST偏压高加速应力试验箱,高加速寿命老化试验机……
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产品详情

威邦HAST试验箱,又称HAST高加速寿命老化箱。本试验箱通过温度、相对湿度与大气压力的协同作用,加速被测样品湿气渗透电化学迁移材料降解等失效过程。

 

一,应用领域:

电子元器件,汽车电子,光电部件,航空航天工业,医疗设备,化学工业等半导体元器件或非气密性封装IC器件等,进行温湿度偏压(不偏压)高加速应力寿命老化试验抗湿性试验稳态湿热试验失重试验

 

二,HAST试验4种典型效应:

» 金属腐蚀:

高温高湿环境加速水汽渗透入塑封壳内,导致金属元件和导线上产生氧化物和腐蚀,可能引发短路等现象。

» 绝缘材料老化:

高温高湿环境使绝缘材料中的水分析入,加速绝缘材料老化,可能引起漏电等现象。

» 焊点开裂:

装材料与芯片框架的热膨胀系数不同,在高温高湿环境下可能造成焊点开裂,引发接触不良等问题。

» 爆米花效应:

由于封装体在高温下内部水分汽化而产生爆裂现象。

 

三,2种测试模式:HUM(不饱和)/ STD(饱和)模式

饱和不饱和两种控制方法-缩小版

产品特点

» 双层316不锈钢圆弧内箱结构,,罐体生产获得国家特种设备制造许可证之压力容器许可证书。

» 依JESD22-A110试验规范,可加载最大工作电压(24个偏压端子),对样品持续通电,实现动态偏压(BHAST)试验。

» 偏压端子通过颜色编码(红色=正,黑色=负)提高可视性,使偏差测试更顺畅。

» 电子门锁设计,使用开/关按钮,打开或关闭箱门,二段式压力安全保护,安全双向检测。

» 样品架托盘和箱门采用滑轨抽拉,可有效避免因高温时拿取样品烫伤,使用更安全。

技术规格
HAST高压加速老化试验箱规格型号
产品名称
Product
型号
Model
工作室容积
Volume
温湿度范围
Temp/Hum Range
压力范围
Pressure Range

内箱尺寸

(直径φW*深D)
Inner Size

外箱尺寸

(宽W*深D*高H)
Chamber Size

WBE-HAST系列
高压加速老化试验箱
WBE-HAST-40 69(L) A: +100~+143℃;
B: +100~+156℃;
(65%~100%R.H不饱和HUM及饱和STD)

A:0.2~3kg/cm²

(0.018~0.294 MPa)
B:0.2~4kg/cm²

(0.018~0.394 MPa)

400*550(mm) 700*950*1710(mm)
WBE-HAST-45 90(L) 418*660(mm) 770*950*1670(mm)
WBE-HAST-55 150(L) 550*650(mm) 980*1150*1780(mm)
WBE-HAST-65 325(L) 650*986(mm) 1100*1120*1770(mm)
 
WBE-PCT系列
饱和蒸汽高压加速老化箱
WBE-PCT-40 69(L) A: +100~+143℃;
(100%R.H饱和STD) 

A:0.2~3kg/cm²

(0.018~0.294 MPa) 

400*550(mm) 700*950*1710(mm)
WBE-PCT-55 150(L) 550*650(mm) 900*1200*1760(mm)
WBE-PCT-65 325(L) 650*986(mm) 1100*1120*1770(mm)
  可非标定制其它规格参数

 

 

HAST高压加速老化试验箱性能参数
性能参数 温度范围 +105.0~+133.3℃(at 100%R.h)
+110.0~+140.0℃(at 85%R.h)
+118.0~+156.0℃(at 65%R.h)
温度波动度 ≤±0.5℃
温度均匀度 ≤2℃
温度偏差 ≤±2℃
升温时间 常温~+ 143℃约75 min ;常温~+ 156℃约100 min 
湿度范围 65%~100%R.h
湿度波动度 ≤±2%R.h
湿度均匀度    ≤±3%R.h  
湿度偏差 ≤±3%R.h
压力范围     A:0.2~3kg/cm² (0.018~0.294 MPa) ;B:0.2~4kg/cm² (0.018~0.394 MPa)
(特殊客户需求) ;(其他压力可定制)
压力偏差 ≤±2Kpa
升压时间 常压~+ 3kg/cm²约50 min.   外部气源加压:约5 min
常压~+ 4kg/cm²约60 min.   外部气源加压:约5 min
HAST测试模式 HUM(不饱和)测试模式/STD(饱和)测试模式
偏压端子 4~128个可选(或定制)
控制器 7寸彩色触摸屏控制
排气模式 三种模式:相对保湿的缓慢冷却/保持水汽的慢速冷却/快速排气
箱体材质 内箱 SUS #316不锈钢(电解抛光)
外箱 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理,WBE威邦标准蓝灰
电源 AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E
型号说明

HAST型号说明

 

HAST试验常用测试条件
标准号 执行标准 测试条件
温度(℃) 湿度(%R.h) 电压(V) 时间(h)
IEC60068-2-66
IEC60749
环境试验.第2-66部分:试验方法.试验Cx:稳态湿热 110±2
120±2
130±2
85±5
85±5
85±5
任意电压 96/192/408
48/96/192
24/48/96
GB/T2423.40 电工电子产品环境试验第2部分:试验方法Cx:不饱和高压蒸汽的恒定湿热 110±2
120±2
130±2
85±5
85±5
85±5
1~1000V 96/192/408
48/96/192
24/48/96
GB/T4937.40 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验(HAST) 110±2
130±2
85±5
85±5
1~1000V 96/264
JIS C0096-2001 环境测试 第2部分:倾倒·湿热·稳态(非饱和加压蒸汽) 110±2
120±2
130±2
85±5
85±5
85±5
任意电压 96/192/408
48/96/192
24/48/96
JEITA(EIAJ)ED-4701/100A/103 半导体器件不饱和蒸汽压力测试 110±2
120±2
130±2
85±5
85±5
85±5
持续施加电压 24/48/96/168/500
JPCA-ET08 印刷电路板不饱和蒸汽压力测试 110±2
120±2
130±2
85±5
85±5
85±5
持续施加电压 96/192/408
48/96/192
24/48/96
AEC Q100-Rev-E
AEC Q101
汽车级半导体分立器件应力测试认证 110±2
130±2
85±5
85±5
持续施加电压/无偏压 264/96
JESD22-A101C 稳态温度,湿度/偏压,寿命试验(温湿度偏压寿命) 85±2 85±5 持续/间断施加电压 24/168/1000
JESD22-A102E 高压蒸煮试验(加速抗湿性渗透) 121±2 100±5 无偏压 24/48/96/168/240/336
JESD22-A110E HAST高加速温湿度应力试验 110±2
130±2
85±5
85±5
持续/间断施加电压 264/96
JESD22-A118B 温湿度无偏压高加速应力实验UHAST(无偏置电压未饱和高压蒸汽) 110±2
130±2
85±5
85±5
无偏压 264/96

 

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